Филолог заявил о массовой отмене обращения на «вы» с большой буквы09:36
为政一方，以“不要立志做大官，而要立志做大事”来勉励自己；夜读《人民呼唤焦裕禄》，深情写下：“为官一任，造福一方，遂了平生意。”。爱思助手下载最新版本对此有专业解读
* 核心思路：单调递增栈 + 控制删除位数（k0），优先移除高位大数，保证剩余数字最小。搜狗输入法下载对此有专业解读
ВсеРоссияМирСобытияПроисшествияМнения
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。